MMBT3906LT1 دیتاشیت

MMBT3906LT1

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت MMBT3906LT1
حجم فایل 70.757 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 3

دانلود دیتاشیت MMBT3906LT1

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

MMBT3906LT1 2 pages

MMBT3906LT1 5 pages

MMBT3906LT1 8 pages

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
  • Datasheet: LGE MMBT3906LT1
  • Transistor Type: PNP
  • Operating Temperature: +150°C@(Tj)
  • Collector Current (Ic): 100mA
  • Power Dissipation (Pd): 250mW
  • Transition Frequency (fT): 250MHz
  • DC Current Gain (hFE@Ic,Vce): 100@10mA,1V
  • Collector Cut-Off Current (Icbo): 50nA
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 40V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib): 300mV@50mA,5mA
  • Package: SOT-23(TO-236)
  • Manufacturer: LGE

محصولات مشابه